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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
11.4
15.7
写入速度,GB/s
7.4
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2851
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
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