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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
11.4
17.3
写入速度,GB/s
7.4
13.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3294
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
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