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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
50
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
50
读取速度,GB/s
11.4
13.5
写入速度,GB/s
7.4
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2424
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
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