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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
11.4
14.2
写入速度,GB/s
7.4
10.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2984
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
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Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
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