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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
87
左右 -335% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
20
读取速度,GB/s
3,155.6
20.0
写入速度,GB/s
870.4
17.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3703
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
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Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
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