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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

总分
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

总分
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 37
    左右 -19% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.7 left arrow 11.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.4 left arrow 7.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    11.4 left arrow 15.7
  • 写入速度，GB/s
    7.4 left arrow 11.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1683 left arrow 2848

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较

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Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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