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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
11.4
16.1
写入速度,GB/s
7.4
12.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2968
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
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G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
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