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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
36
读取速度,GB/s
11.4
14.9
写入速度,GB/s
7.4
9.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2415
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905703-011.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
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