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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
11.4
17.3
写入速度,GB/s
7.4
13.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3508
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
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