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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
11.4
13.7
写入速度,GB/s
7.4
11.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2967
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
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Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
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