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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
48
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
28
读取速度,GB/s
8.9
18.3
写入速度,GB/s
5.9
14.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3377
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
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