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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9905702-184.A00G 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
23400
左右 1.09% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
33
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
22
读取速度,GB/s
17.6
18.4
写入速度,GB/s
12.0
15.8
内存带宽,mbps
25600
23400
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3512
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905702-184.A00G 8GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kllisre 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
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