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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
11.4
18.0
写入速度,GB/s
7.4
16.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3889
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
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