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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Inmos + 256MB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Inmos + 256MB

总分
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

总分
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Inmos + 256MB 需要考虑的原因
Inmos + 256MB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 37
    左右 -23% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    11.5 left arrow 11.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 7.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    16800 left arrow 10600
    左右 1.58 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Inmos + 256MB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    11.4 left arrow 11.5
  • 写入速度，GB/s
    7.4 left arrow 9.1
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 16800
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • 排名PassMark (越多越好)
    1683 left arrow 2318

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较

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