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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
11.4
15.6
写入速度,GB/s
7.4
13.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2885
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
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