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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
11.4
15.3
写入速度,GB/s
7.4
12.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2900
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
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