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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
11.4
14.2
写入速度,GB/s
7.4
9.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2890
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
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