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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
11.4
16.4
写入速度,GB/s
7.4
13.7
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3206
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
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