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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
45
左右 18% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
10600
1900
左右 5.58% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
45
读取速度,GB/s
11.4
11.7
写入速度,GB/s
7.4
8.4
内存带宽,mbps
10600
1900
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
1683
2387
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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