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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
比较
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
总分
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
总分
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,378.6
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
62
左右 -170% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
23
读取速度,GB/s
4,670.6
14.7
写入速度,GB/s
2,378.6
11.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
861
3007
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
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