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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
34
读取速度,GB/s
11.4
15.8
写入速度,GB/s
7.4
12.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2830
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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