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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
59
左右 -51% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
39
读取速度,GB/s
4,723.5
15.5
写入速度,GB/s
2,076.1
11.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2264
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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