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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
43
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
43
读取速度,GB/s
11.4
16.1
写入速度,GB/s
7.4
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2928
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
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Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
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G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
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