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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
79
左右 53% 更低的延时
需要考虑的原因
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
79
读取速度,GB/s
11.4
14.7
写入速度,GB/s
7.4
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1710
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
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