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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
25
读取速度,GB/s
11.4
15.4
写入速度,GB/s
7.4
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1870
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX421C14FB/4 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
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