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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
56
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.4
7.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
4.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
56
读取速度,GB/s
11.4
7.5
写入速度,GB/s
7.4
4.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1598
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
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