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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

总分
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

总分
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Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB 需要考虑的原因
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 37
    左右 -12% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.7 left arrow 11.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.8 left arrow 7.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    11.4 left arrow 19.7
  • 写入速度，GB/s
    7.4 left arrow 14.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1683 left arrow 3671

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较

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Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB RAM的比较

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Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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