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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
46
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
46
读取速度,GB/s
11.4
14.2
写入速度,GB/s
7.4
13.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2717
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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