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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
57
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.4
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.6
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
57
读取速度,GB/s
11.4
9.4
写入速度,GB/s
7.4
7.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2170
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB RAM的比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
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