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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
11.8
14.2
写入速度,GB/s
7.3
10.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2460
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
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