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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
35
读取速度,GB/s
11.4
16.0
写入速度,GB/s
7.4
11.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2824
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. ZEUS-1600 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905402-416.A00LF 2GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
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