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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.4
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
6.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 -9% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
34
读取速度,GB/s
11.4
10.0
写入速度,GB/s
7.4
6.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1693
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
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