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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
53
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
53
读取速度,GB/s
11.4
17.5
写入速度,GB/s
7.4
9.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2310
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
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Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
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