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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
67
左右 45% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
67
读取速度,GB/s
11.4
16.2
写入速度,GB/s
7.4
8.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1798
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
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