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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB

总分
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

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Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 37
    左右 -37% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.5 left arrow 11.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 7.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    11.4 left arrow 17.5
  • 写入速度，GB/s
    7.4 left arrow 12.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1683 left arrow 3223

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较

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内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
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内存RAM
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
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Kingston 9905783-025.A01G 16GB
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内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
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内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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