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Corsair VS1GB800D2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 -81% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.6
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
26
读取速度,GB/s
4,680.7
16.2
写入速度,GB/s
1,361.1
12.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
2955
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB RAM的比较
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
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