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Corsair VS1GSDS533D2 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Corsair VS1GSDS533D2 1GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

总分
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Corsair VS1GSDS533D2 1GB

Corsair VS1GSDS533D2 1GB

总分
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair VS1GSDS533D2 1GB 需要考虑的原因
Corsair VS1GSDS533D2 1GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    895.9 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 86
    左右 -132% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.7 left arrow 1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 4200
    左右 4.05 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair VS1GSDS533D2 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    86 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    1,761.9 left arrow 14.7
  • 写入速度，GB/s
    895.9 left arrow 10.6
  • 内存带宽，mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    287 left arrow 2592

Corsair VS1GSDS533D2 1GB RAM的比较

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