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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
51
左右 -34% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
38
读取速度,GB/s
4,246.9
12.9
写入速度,GB/s
1,839.1
10.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
2690
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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