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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
51
左右 -89% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.1
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
27
读取速度,GB/s
4,246.9
17.4
写入速度,GB/s
1,839.1
14.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
3557
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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