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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Inmos + 256MB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Inmos + 256MB

总分
star star star star star
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

总分
star star star star star
Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

差异 规格 评论

差异

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB 需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
Inmos + 256MB 需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 51
    左右 -70% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 1,839.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    16800 left arrow 5300
    左右 3.17 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Inmos + 256MB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    51 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    4,246.9 left arrow 11.5
  • 写入速度，GB/s
    1,839.1 left arrow 9.1
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 16800
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • 排名PassMark (越多越好)
    721 left arrow 2318

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Inmos + 256MB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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