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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Inmos + 256MB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Inmos + 256MB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Inmos + 256MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
16800
5300
左右 3.17 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Inmos + 256MB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
4,246.9
11.5
写入速度,GB/s
1,839.1
9.1
内存带宽,mbps
5300
16800
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
721
2318
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Inmos + 256MB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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