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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 -17% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
29
读取速度,GB/s
16.2
15.9
写入速度,GB/s
9.7
11.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2838
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
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