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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.9
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
8500
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
45
左右 -50% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
45
30
读取速度,GB/s
11.9
10.6
写入速度,GB/s
8.1
6.8
内存带宽,mbps
12800
8500
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
1479
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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