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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
34
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
32
读取速度,GB/s
16.2
16.6
写入速度,GB/s
9.7
12.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2854
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB RAM的比较
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Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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