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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 -36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
25
读取速度,GB/s
16.2
15.2
写入速度,GB/s
9.7
12.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2740
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
Kingston HX316C10F/4 4GB
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G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBJ21EE8BDFA-DJ-F 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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