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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
44
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
44
读取速度,GB/s
16.2
10.6
写入速度,GB/s
9.7
8.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2374
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
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