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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
42
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
42
读取速度,GB/s
16.2
11.1
写入速度,GB/s
9.7
9.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2551
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
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