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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
27
读取速度,GB/s
16.9
17.8
写入速度,GB/s
12.0
14.5
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3386
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
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