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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.3
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
25
读取速度,GB/s
16.9
17.4
写入速度,GB/s
12.0
18.3
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3731
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
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