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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
51
左右 -89% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.9
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.1
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
27
读取速度,GB/s
15.6
21.9
写入速度,GB/s
11.8
19.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
4044
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
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