RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.9
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
21.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
19.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
4044
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link