RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.9
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
21.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
19.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
4044
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link